Rozbudowa fabryki dwóch pamięci Samsung i Micron!

Z najnowszych doniesień branżowych wynika, że ​​aby sprostać wzrostowi zapotrzebowania na układy pamięci wynikającemu z boomu na sztuczną inteligencję (AI), firmy Samsung Electronics i Micron zwiększyły swoje moce produkcyjne w zakresie układów pamięci. Samsung wznowi budowę infrastruktury dla swojej nowej fabryki w Pyeongtaek (P5) już w trzecim kwartale 2024 r. Micron buduje linie testowe i produkcyjne HBM w swojej siedzibie głównej w Boise w stanie Idaho i rozważa produkcję HBM w Malezji po raz pierwszy czas zaspokoić większy popyt ze strony boomu na sztuczną inteligencję.

Samsung ponownie otwiera fabrykę w Nowym Pyeongtaek (P5)
Z doniesień zagranicznych mediów wynika, że ​​Samsung Electronics podjął decyzję o ponownym uruchomieniu infrastruktury nowego zakładu w Pyeongtaek (P5), którego budowa ma wznowić najwcześniej w trzecim kwartale 2024 r., a termin zakończenia szacowany jest na kwiecień 2027 r., ale rzeczywisty czas produkcji może być wcześniejszy.

Według poprzednich doniesień fabryka wstrzymała prace pod koniec stycznia, a Samsung podał wówczas, że „jest to tymczasowe rozwiązanie mające na celu koordynację postępu” i „nie poczyniono jeszcze inwestycji”. Decyzję o wznowieniu budowy fabryki Samsung P5 branża zinterpretowała bardziej, że w odpowiedzi na boom sztucznej inteligencji (AI) napędzany popytem na układy pamięci, firma jeszcze bardziej zwiększyła moce produkcyjne.

Z doniesień wynika, że ​​fabryka Samsung P5 to duża fabryka z ośmioma czystymi pomieszczeniami, podczas gdy P1–P4 ma tylko cztery czyste pomieszczenia. Dzięki temu Samsung może dysponować masową mocą produkcyjną, aby sprostać zapotrzebowaniu rynku. Ale w tej chwili nie ma oficjalnych informacji na temat konkretnego celu P5.

Według doniesień koreańskich mediów źródła branżowe podały, że 30 maja Samsung Electronics zorganizował posiedzenie wewnętrznego komitetu zarządzającego zarządu w celu przedstawienia i przyjęcia porządku obrad związanego z infrastrukturą P5. Zarządowi przewodniczy dyrektor generalny i szef dywizji DX Jong-hee Han, a w jego skład wchodzą Noh Tae-moon, dyrektor jednostki biznesowej MX, Park Hak-gyu, dyrektor ds. wsparcia zarządzania oraz Lee Jeong-bae, dyrektor działu magazynowania jednostka.

Hwang Sang-joong, wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w firmie Samsung, powiedział w marcu, że spodziewa się, że produkcja HBM w tym roku będzie 2,9 razy wyższa niż w roku ubiegłym. Jednocześnie firma ogłosiła plan działania dotyczący HBM, który przewiduje, że dostawy HBM w 2026 r. będą 13,8 razy większe niż produkcja w 2023 r., a do 2028 r. roczna produkcja HBM wzrośnie jeszcze bardziej do 23,1-krotności poziomu w 2023 r.

.Micron buduje testowe linie produkcyjne HBM i linie do produkcji masowej w Stanach Zjednoczonych
19 czerwca wiele doniesień medialnych pokazało, że Micron buduje testową linię produkcyjną HBM i linię do produkcji masowej w swojej siedzibie głównej w Boise w stanie Idaho i po raz pierwszy rozważa produkcję HBM w Malezji, aby sprostać większemu zapotrzebowaniu spowodowanemu sztuczną inteligencją wysięgnik. Według doniesień fabryka Micron Boise zostanie uruchomiona w Internecie w 2025 r., a produkcję pamięci DRAM rozpocznie w 2026 r.

Firma Micron ogłosiła wcześniej plany zwiększenia swojego udziału w rynku pamięci o dużej przepustowości (HBM) z obecnych „średnio jednocyfrowych” do około 20% w ciągu roku. Do tej pory Micron zwiększył pojemność pamięci masowej w wielu miejscach.

Pod koniec kwietnia firma Micron Technology oficjalnie ogłosiła na swojej oficjalnej stronie internetowej, że otrzymała 6,1 miliarda dolarów dotacji rządowych w ramach ustawy Chip and Science Act. Dotacje te, wraz z dodatkowymi zachętami stanowymi i lokalnymi, wesprą firmę Micron w budowie wiodącego zakładu produkcyjnego pamięci DRAM w Idaho oraz dwóch zaawansowanych zakładów produkcyjnych pamięci DRAM w Clay Town w stanie Nowy Jork.

Budowa fabryki w Idaho rozpoczęła się w październiku 2023 r. Micron podała, że ​​oczekuje się, że fabryka będzie gotowa do pracy i zacznie działać w 2025 r., a oficjalne rozpoczęcie produkcji pamięci DRAM nastąpi w 2026 r., a produkcja pamięci DRAM będzie nadal rosnąć wraz ze wzrostem popytu w branży. Projekt w Nowym Jorku jest w trakcie wstępnego projektowania, badań terenowych i składania wniosków o pozwolenia, w tym NEPA. Oczekuje się, że budowa fabryki rozpocznie się w 2025 r., a produkcja zostanie uruchomiona i wniesie wkład w 2028 r., a w ciągu następnej dekady będzie rosła wraz z popytem rynkowym. Jak podano w komunikacie prasowym, dotacja rządu USA wesprze plan firmy Micron zakładający zainwestowanie około 50 miliardów dolarów w łączne nakłady inwestycyjne na wiodącą krajową produkcję pamięci w Stanach Zjednoczonych do 2030 roku.

W maju tego roku dziennik podał, że Micron wyda od 600 do 800 miliardów jenów na budowę zaawansowanej fabryki chipów DRAM wykorzystującej proces mikrocieni w ekstremalnym świetle ultrafioletowym (EUV) w Hiroszimie w Japonii, która ma się rozpocząć na początku 2026 r. i zakończyć na koniec 2027 r. Wcześniej Japonia zatwierdziła aż 192 miliardy jenów dotacji na wsparcie firmy Micron przy budowie fabryki w Hiroszimie i produkcji nowa generacja chipów.

Nowa fabryka Micron w Hiroszimie, zlokalizowana w pobliżu istniejącego Fab 15, skupi się na produkcji pamięci DRAM, z wyłączeniem pakowania i testowania zaplecza, i skupi się na produktach HBM.

W październiku 2023 r. firma Micron otworzyła swój drugi inteligentny (nowoczesny zakład montażowy i testowy) w Penang w Malezji, którego początkowa inwestycja wyniosła 1 miliard dolarów. Po ukończeniu pierwszej fabryki firma Micron dodała kolejny miliard dolarów na rozbudowę drugiej inteligentnej fabryki do 1,5 miliona stóp kwadratowych.